Dalam posting ini kita membahas metode mengganti BJT dengan MOSFET dengan benar, tanpa mempengaruhi hasil akhir rangkaian.

pengantar

Sampai MOSFET tiba di bidang elektronika, transistor atau BJT tepatnya menguasai rangkaian dan aplikasi sakelar daya.

Meskipun Bipolar Junction Transistors (BJTs) tidak dapat diabaikan karena ada fleksibilitas yang sangat besar dan biaya rendah, MOSFET juga telah menjadi sangat populer sejauh menyangkut peralihan beban berat dan karena efisiensi tinggi yang terkait dengan komponen ini.

Namun meskipun kedua komponen ini mungkin terlihat serupa dengan fungsi dan gayanya, kedua komponen ini sangat berbeda dengan karakteristik dan konfigurasinya.

Perbedaan Antara BJT dan MOSFET

Perbedaan utama antara BJT dan MOSFET adalah, operasi BJT bergantung pada arus dan perlu ditingkatkan secara proporsional dengan beban, sedangkan mosfet bergantung pada tegangan.

Tetapi di sini MOSFET mendapatkan keunggulan dibandingkan BJT, karena tegangan dapat dengan mudah dimanipulasi dan dicapai ke derajat yang diperlukan tanpa banyak masalah, sebaliknya meningkatkan arus berarti daya yang lebih besar yang akan dikirim, yang menghasilkan efisiensi yang buruk, konfigurasi yang lebih besar, dll.

Keuntungan besar lainnya dari MOSFET terhadap BJT adalah resistansi inputnya yang tinggi, yang memungkinkan untuk diintegrasikan dengan IC logika apa pun secara langsung, tidak peduli seberapa besar beban yang mungkin dialihkan oleh perangkat. Keuntungan ini juga memungkinkan kami untuk menghubungkan banyak MOSFET secara paralel bahkan dengan input arus yang sangat rendah (dalam mA).

MOSFET pada dasarnya terdiri dari dua jenis, yaitu. peningkatan jenis mode dan penipisan tipe mode. Jenis Enhancement lebih sering digunakan dan paling umum.

“bagaimana cara kerja sensor gerak pir ”

MOSFET tipe-N dapat dihidupkan atau diaktifkan dengan menerapkan tegangan positif yang ditentukan pada gerbangnya sementara MOSFET tipe-P akan membutuhkan kebalikannya yaitu tegangan negatif untuk menghidupkan.

Resistor Basis BJT vs Resistor Gerbang MOSFET

Seperti dijelaskan di atas, sakelar basis dari BJT bergantung pada arus. Artinya arus basisnya perlu ditingkatkan secara proporsional dengan kenaikan arus beban kolektornya.

Ini menyiratkan bahwa resistor dasar dalam BJT memainkan peran penting dan harus dihitung dengan benar untuk memastikan bahwa beban dinyalakan secara optimal.

Namun, tegangan basis untuk BJT tidak terlalu menjadi masalah, karena dapat serendah 0,6 hingga 1 volt untuk peralihan yang memuaskan dari beban yang terhubung.

Dengan MOSFET, justru sebaliknya, Anda dapat mengaktifkannya dengan tegangan antara 3 V dan 15 V, dengan arus serendah 1 hingga 5 mA.

Oleh karena itu, resistor dasar mungkin penting untuk BJT tetapi resistor untuk gerbang MOSFET mungkin tidak material. Yang mengatakan, resistor gerbang nilai rendah harus disertakan, hanya untuk melindungi perangkat dari lonjakan tegangan tiba-tiba dan transien.

Karena tegangan di atas 5 V atau hingga 12 V dengan mudah tersedia dari sebagian besar IC digital dan analog, gerbang MOSFET dapat dengan cepat dihubungkan dengan sumber sinyal semacam itu, terlepas dari arus beban.

Cara Mengganti Transistor (BJT) dengan MOSFET

Secara umum kita dapat dengan mudah mengganti BJT dengan MOSFET, asalkan kita menjaga polaritas yang relevan.

Untuk BJT NPN, kami dapat mengganti BJT dengan MOSFET yang ditentukan dengan benar dengan cara berikut:

Lepaskan resistor dasar dari rangkaian karena kita biasanya tidak membutuhkannya lagi dengan MOSFET.
Hubungkan gerbang N-MOSFET langsung ke sumber tegangan aktivasi.
Jaga agar suplai positif tetap terhubung ke salah satu terminal beban, dan hubungkan terminal beban lainnya ke saluran pembuangan MOSFET.
Terakhir, hubungkan sumber MOSFET ke ground ....... SELESAI, Anda telah mengganti BJT dengan mosfet dalam beberapa menit.

Prosedurnya akan tetap seperti di atas bahkan untuk BJT PNP diganti dengan MOSFET saluran-P, Anda hanya perlu membalik polaritas pasokan yang relevan.